【光能雜志】保利協(xié)鑫：提產(chǎn)降本齊頭并進(jìn)
Solarbe(索比)光伏太陽能網(wǎng)訊： 提產(chǎn)能，降成本，發(fā)新品，最近一段時(shí)間，協(xié)鑫很忙。據(jù)保利協(xié)鑫一位高管透露，保利協(xié)鑫能源計(jì)劃2014年將硅片的產(chǎn)能從8GW提高到10GW；同時(shí)，萬噸級(jí)的硅烷流化床提煉多晶硅的生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于下半年投運(yùn)，屆時(shí)將大大降低多晶硅的生產(chǎn)成本。
保利協(xié)鑫能源副總裁呂錦標(biāo)表示，根據(jù)保利協(xié)鑫能源的預(yù)測，2014年分布式光伏會(huì)在東南沿海和京津地區(qū)的工業(yè)及商業(yè)屋頂，將有大范圍應(yīng)用。
呂錦標(biāo)表示，保利協(xié)鑫最近幾年在美國投資建設(shè)的800多兆瓦光伏電站基本上都是與建筑結(jié)合的分布式。2013年在國內(nèi)還有投產(chǎn)的近200兆瓦魚光互補(bǔ)、農(nóng)業(yè)大棚項(xiàng)目。利用江蘇徐州多晶硅和硅片工廠建成投產(chǎn)的12MW分布式光伏發(fā)電項(xiàng)目成為國家能源局重點(diǎn)推廣的案例。
成本可降至10美元/公斤
呂錦標(biāo)還透露，目前正在推進(jìn)的硅烷流化床多晶硅技術(shù)將在明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，量產(chǎn)后可逐步將多晶硅生產(chǎn)成本降至10美元/公斤。
屆時(shí)保利協(xié)鑫將同時(shí)擁有萬噸級(jí)的改良西門子法多晶硅生產(chǎn)技術(shù)和萬噸級(jí)的硅烷流化床多晶硅技術(shù)。相對于改良西門子法，硅烷硫化床技術(shù)可大幅度降低多晶硅的生產(chǎn)成本。
目前保利協(xié)鑫多晶硅的成本約為17美元/公斤左右。中國國內(nèi)大部分廠商，由于生產(chǎn)工藝、規(guī)模和電價(jià)的差異，生產(chǎn)成本一般較保利協(xié)鑫略高。保利協(xié)鑫預(yù)計(jì)2013年多晶硅發(fā)貨量將超過5萬噸，和2012年的3.7萬噸相比，增幅超過35%。
呂錦標(biāo)表示，保利協(xié)鑫硅烷硫化床多晶硅技術(shù)為第三代工藝，能夠有效控制顆粒料在提純中可能產(chǎn)生的污染問題，并已經(jīng)在2012年完成千噸級(jí)中試投產(chǎn)，可大幅降低多晶硅的生產(chǎn)成本和生產(chǎn)電子級(jí)高純度多晶硅。
此外，國信香港認(rèn)為，如今幾乎占據(jù)了全球多晶硅市場25%份額，全球硅片市場30%份額的保利協(xié)鑫將成為行業(yè)復(fù)蘇之最大受益者。理由是，多晶硅及硅片價(jià)格在需求恢復(fù)帶動(dòng)下將繼續(xù)上升，預(yù)期多晶硅及硅片價(jià)格將分別從2013年上半年的每公斤17美元及每瓦0.2美元增加至2014年約每公斤21.2美元及每瓦0.25美元。
同時(shí)，保利協(xié)鑫在徐州的350MW電廠建設(shè)，及其對硅烷流化床法的技改正在順利進(jìn)行，預(yù)計(jì)將分別于2014年1季度末及年底前順利投產(chǎn)。此舉預(yù)計(jì)會(huì)令保利協(xié)鑫多晶硅單位生產(chǎn)成本由2013年上半年的每公斤約17.3美元下降30%至2014年約每公斤12美元。
基于上述多晶硅“價(jià)格向上，成本向下”的判斷，國信香港給出預(yù)測：保利協(xié)鑫毛利率將從2013年上半年的6.6%提高至2014年的30.2%。
發(fā)布第二代單晶硅片產(chǎn)品“鑫單晶G2”
去年12月底，保利協(xié)鑫發(fā)布了其第二代類單晶硅片產(chǎn)品“鑫單晶G2”，并宣布其進(jìn)入商業(yè)化量產(chǎn)。
根據(jù)多家保利協(xié)鑫客戶提供的測試數(shù)據(jù)，相較于其2011年發(fā)布的第一代類單晶產(chǎn)品，“鑫單晶G2”平均光電轉(zhuǎn)換效率提升了1.1%，硅片性能取得大幅度提升，可用于制備280/335W（60/72PCS）以上的電池組件。“鑫單晶G2”定位于高效硅片市場的主流應(yīng)用，體現(xiàn)了保利協(xié)鑫以市場需求為中心的產(chǎn)品研發(fā)策略，將為高端客戶提供最具市場競爭力的單晶產(chǎn)品。
據(jù)介紹，自2011年11月發(fā)布首款高效硅片產(chǎn)品以來，保利協(xié)鑫對下游組件廠商一直穩(wěn)定保持著每六個(gè)月提升5W主流組件輸出功率的速度。相較于以傳統(tǒng)直拉法制得的單晶產(chǎn)品，這次發(fā)布的“鑫單晶G2”在電池制備過程中有0.5%的額外效率增益，光衰平均低1%，同時(shí)具有轉(zhuǎn)換效率相近、面積大、封裝損失低等特點(diǎn)，是單晶鑄錠技術(shù)取得的最新產(chǎn)品突破，進(jìn)一步豐富了保利協(xié)鑫對組件、系統(tǒng)的技術(shù)解決方案。
“鑫單晶G2”，加上原有的“鑫單晶G1”，高效多晶S1、S2、S3，經(jīng)過不同的電池工藝，可以制備從250/300W(60/72PCS)到290/345W (60/72PCS)多種功率的組件產(chǎn)品。
此次發(fā)布的“鑫單晶G2”，加上原有的“鑫單晶G1”以及高效多晶S1、S2、S3，經(jīng)過不同的電池工藝，可以制備從250/300W(60/72PCS)到290/345W (60/72PCS)多種功率的組件產(chǎn)品，在大獲成功的高效多晶產(chǎn)品基礎(chǔ)上，進(jìn)一步增強(qiáng)了保利協(xié)鑫的市場影響力、領(lǐng)導(dǎo)力。
來源：《光能》雜志
